【CNMO科技消息】在AI计算需求持续爆发的背景下，三星电子正凭借其在DRAM和NAND闪存领域的全球最大产能与先进技术，加速向“全球AI基础设施关键供应商”转型。据最新行业动态显示，英伟达、谷歌等全球科技巨头正争相与三星签订3至5年的长期内存供应协议（LTA），以锁定未来AI基础设施所需的关键半导体资源。
三星电子设备解决方案部门负责人全永铉（音译）副董事长在上月举行的公司年度股东大会上明确表示：“我们正在推进3至5年的多年供应合同，这将为双方提供可预测的业务稳定性和可见性，并使我们能够灵活调整投资规模。”这一策略标志着三星在内存供应模式上的重大转变，旨在主动应对AI时代的市场波动。
三星在备受关注的高带宽内存（HBM）领域也取得关键进展。尽管在第五代产品HBM3E上遭遇交付延迟，但在第六代HBM4上，三星从开发初期便率先引入了10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，并通过扩大芯片尺寸重新设计，成功通过了英伟达的早期质量验证，成为首家实现HBM4量产出货的供应商。市场研究机构Counterpoint Research预测，三星今年有望在HBM市场恢复近30%的份额。
三星在下一代低功耗内存技术上也加速布局，首款基于LPDDR5X的SOCAMM 2模块已通过英伟达验证并投入量产，搭载于英伟达Vera CPU中。该模块容量达192GB，每颗CPU可配置8个模块，总容量达1.5TB，最高速度达9.6Gbps。同时，三星正在积极推动LPDDR6标准化进程，JEDEC已确认其在LPDDR6标准制定中扮演了核心角色。
在存储技术方面，三星正凭借其176层QLC NAND等领先工艺，维持全球NAND市场约28%的份额。同时，公司正加速量产280层第9代V-NAND，并积极布局被称为“NAND领域HBM”的高带宽闪存（HBF），目标是在2028年实现商用化，以应对AI基础设施对存储带宽的长期需求。
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